湖北武汉国家存储器基地项目二期主体竣工
时间:2026-06-01 11:24:58 来源:东曦既驾网
日前,湖北武汉国家存储器基地项目二期主体工程顺利竣工,武汉该项目总投资 480 亿元,存储建筑面积 45 万平方米,器基是地项国家集成电路产业重点项目,聚焦 3D NAND 闪存芯片研发与生产,目期投产后月产能达 40 万片晶圆,主体将显著提升我国存储器产业自主可控能力。竣工
建设中,湖北项目攻克超高洁净度厂房、武汉超纯水系统等技术难题,存储采用模块化施工与智能建造技术,器基实现施工精度与效率双提升;厂房配备国际先进的地项洁净空调与废气处理系统,保障生产环境与生态安全。目期二期工程的主体竣工,为设备安装与调试奠定基础,计划 2026 年下半年试生产,2027 年全面投产。
该项目将推动我国集成电路产业发展,带动上下游企业集聚,助力武汉打造 “中国存储谷”,为全球半导体产业格局调整注入中国力量。
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